Datasheet下载- 型号： 3EZ43D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ43D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ43D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ43D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ43D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ43D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ43D/TR12是一款43V、1W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-213AB（MELF）封装，具有高稳定性、低动态阻抗和良好温度特性。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、精密电源反馈网络）中提供稳定43V基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，用于保护后级IC（如微控制器I/O口、运放输入端）免受瞬态高压冲击； 3. 浪涌钳位：在工业控制、通信接口（如RS-485总线）中限制电压尖峰，防止器件击穿； 4. 电源调节辅助：在简单线性稳压器或LDO外围电路中实现输出电压设定或误差放大器偏置； 5. 测试与校准设备：因MELF封装具备优异的长期稳定性与温度重复性，适用于需可靠基准的便携式仪表及校准模块。 注意：该器件额定功率为1W，需确保实际功耗（P = Vz × Iz）留有余量，并考虑散热条件；TR12表示编带包装，适用于自动化贴片生产。应用时建议查阅Microchip官方数据手册（原Microsemi文档号：3EZ43D）确认最大齐纳电流、Zzt、温度系数（TC ≈ +0.07%/°C）等关键参数。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 43V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ43D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 32.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 43V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 33 欧姆 |
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