Datasheet下载- 型号： 3EZ4.7DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.7DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.7DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.7DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.7DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.7DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.7DE3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 4.7V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定4.7V基准电压，适用于对精度和温漂要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感IC引脚前，配合限流电阻构成简易钳位电路，吸收瞬态浪涌（如ESD、感应尖峰），防止后级器件（如MCU、通信接口）因过压损坏。 3. 电平箝位与信号整形：在数字/模拟混合电路中，将信号峰值限制在4.7V以内，实现逻辑电平适配（如5V系统中保护3.3V器件）、波形削顶或噪声抑制。 4. 低成本稳压电源辅助电路：在非隔离式DC-DC变换器或线性稳压器的反馈网络、启动电路或欠压锁定（UVLO）检测中，作为简单可靠的电压检测元件。 该器件具有±5%标称电压容差、低动态阻抗（典型值约10Ω）、良好热稳定性及AEC-Q200兼容性（部分批次），适用于工业控制、汽车电子（如车身模块、照明驱动）、通信设备及消费类电源管理等中等可靠性要求场景。注意需合理设计功耗（最大3W）及散热，避免持续满载导致温升超标。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.7V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.7DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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