| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.7D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.7D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.7D10/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ4.7D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ4.7D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.7D10/TR8 是 Microsemi Corporation(现已被 Microchip 收购)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为 4.7 V,额定功率为 3 W(DO-41 封装),容差通常为 ±5%,最大稳定电流约 640 mA。其典型应用场景包括: 1. 低压直流稳压:在低成本、低功耗电源中作简单稳压或电压基准,如为传感器、MCU 复位电路、LED 驱动提供稳定参考电压。 2. 过压保护与钳位:并联于敏感电路(如 I/O 端口、ADC 输入、通信接口)前端,吸收瞬态浪涌或ESD能量,将电压钳位于约 4.7 V,防止后级器件损坏。 3. 基准电压源:配合限流电阻为运放、比较器或基准电路提供简易、经济的参考电压(需注意温度系数和动态负载影响,适用于精度要求不高的场合)。 4. 电源指示与分压反馈:在离线式小功率开关电源(如反激辅助绕组反馈)或线性稳压器中,用于电压检测或光耦输入侧的稳压/限幅。 注意:该器件为通用型齐纳管,非低温漂精密基准,不适用于高精度、低温漂或高频应用;使用时需确保散热良好(尤其在接近3W功耗下),并留有足够安全裕量以应对脉冲应力。实际设计中建议查阅 Microchip 官方最新数据手册确认参数及替代信息(因 Microsemi 品牌已整合)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.7V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.7D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.7V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 4 欧姆 |