Datasheet下载- 型号： 3EZ4.3D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.3D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.3D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.3D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.3D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.3D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ4.3D5E3/TR12是一款额定功率3W、标称稳压值为4.3V的单齐纳二极管，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定基准电压，尤其适用于对成本和尺寸敏感、无需高精度（容差±5%）的工业控制或消费类设备。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端或IC引脚的瞬态箝位，防止4.3V以上电压损坏后级低压器件（如MCU I/O、EEPROM等）。 3. 浪涌吸收与箝位电路：在继电器线圈、小功率电感负载关断时，吸收反向电动势，保护驱动三极管或MOSFET。 4. 简易稳压电源：在非隔离、小电流（≤50mA）场合（如电池供电设备的局部稳压），配合限流电阻构成低成本稳压方案。 该器件具有良好的热稳定性与可靠性，适用于工业温度范围（–65°C 至 +175°C），常见于通信模块、电源适配器辅助电路、汽车电子（非安全关键系统）、仪器仪表及LED驱动反馈环路中。需注意其功率限制，设计时须确保功耗不超过3W并留有裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.3V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.3D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 30µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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