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产品简介:
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Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ4.3D5/TR8是一款4.3V、3W通孔式齐纳二极管,采用DO-41封装,具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置电路)中提供稳定4.3V基准电压; 2. 过压保护:与限流电阻配合,用于IC电源引脚(如MCU、运放VDD端)的瞬态钳位,防止ESD或浪涌导致损坏; 3. 电源稳压辅助:在简单线性稳压器(如78Lxx前级)或LED恒流驱动电路中,作为分压反馈网络的基准点或稳压节点; 4. 电平转换与箝位:在数字接口(如RS-232接收端、逻辑电平适配)中将信号峰值限制在安全范围(如钳位至4.3V以兼容3.3V/5V器件); 5. 工业与汽车电子:适用于宽温(-65℃~+175℃)、高可靠性要求场景,如车载电源监控、PLC输入保护模块等。 该器件因3W功率能力、良好热稳定性及Microsemi的高可靠性工艺,常用于对成本敏感但需稳健性能的工业控制、电源管理及嵌入式系统中。注意:实际应用中需合理计算功耗并确保散热,避免长期满载工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.3V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.3D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 30µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.3V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 4.5 欧姆 |