Datasheet下载- 型号： 3EZ4.3D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.3D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.3D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.3D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.3D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.3D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.3D5/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 4.3V、5%容差、500mW 功耗的齐纳二极管，采用 DO-41 塑封直插封装（TR12 表示编带卷装）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中提供稳定4.3V基准电压；适用于输入电压波动不大、负载电流较小（通常＜10mA）的场合。 2. 过压保护与箝位：与限流电阻配合，用于IC输入端或通信接口（如RS-232、I²C总线）的ESD/瞬态电压箝位，将异常电压限制在4.3V附近，防止后级器件损坏。 3. 电源反馈与调节：在简易线性稳压器（如LDO辅助反馈网络）或开关电源的光耦反馈回路中，作为误差检测基准元件。 4. 低成本嵌入式系统：广泛用于工业控制模块、消费电子电源适配器、LED驱动电路等对成本敏感、性能要求适中的场景。 需注意：该器件为通用型齐纳管，动态阻抗较高（约15Ω），温度系数约+2.5mV/°C，不适用于高精度或宽温范围应用；使用时须严格匹配限流电阻以确保工作在额定功率内，并避免反向漏电流影响精度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.3V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.3D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 30µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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