Datasheet下载- 型号： 3EZ4.3D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.3D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.3D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.3D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.3D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.3D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.3D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）生产的一款齐纳稳压二极管，标称稳压值为 4.3 V，功率为 3 W，采用 DO-41 封装，卷带式（TR12）包装，符合 AEC-Q200（汽车级）及 RoHS 要求。 其典型应用场景包括： ✅ 电源电压基准与稳压：在低压线性稳压电路中作为基准源，为运算放大器、ADC/DAC 或传感器供电提供稳定参考电压； ✅ 过压保护（OVP）与钳位：并联于敏感电路（如MCU I/O口、通信接口）前端，吸收瞬态浪涌或ESD能量，将电压钳位于约4.3 V，防止后级器件损坏； ✅ 简单稳压电源：适用于小电流（≤600 mA）、低成本场合，如工业控制板、LED驱动偏置电路、电池电压监测分压网络中的基准点设定； ✅ 汽车电子辅助电路：凭借AEC-Q200认证，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）中的稳压/检测电路（如12 V系统中为5 V或3.3 V逻辑电路提供中间基准）； ✅ 模拟信号调理：在传感器信号链中用于限幅、电平移位或构建简易稳压偏置。 注意：该器件为单齐纳结构，需串联限流电阻使用；不适用于高精度或低温漂要求场景（其温度系数约+2.5 mV/°C，容差±5%）。设计时应校核功耗与散热条件，确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.3V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.3D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 30µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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