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- 型号： 3EZ4.3D/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.3D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.3D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.3D/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.3D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.3D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.3D/TR8 是一款额定稳压值为4.3V、功率为3W的玻璃封装齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： 1. 低压稳压电路：常用于小功率电源中为基准电压源、传感器供电或MCU模拟电路提供稳定4.3V参考电压（如配合运放或ADC使用）； 2. 过压保护与钳位：在信号线或I/O端口并联使用，将瞬态电压钳位于4.3V左右，防止后级芯片（如微控制器、逻辑器件）因浪涌或ESD受损； 3. 电压检测与阈值设定：结合电阻分压与比较器，构成4.3V欠压/过压检测电路，适用于电池供电设备（如便携仪表）的电量监控； 4. 低成本线性稳压辅助元件：在LDO外围电路中用作启动偏置或反馈基准，提升稳压精度与温度稳定性（需注意其温度系数约−1.5mV/°C）； 5. 教学与原型开发：因封装通用、参数典型、成本低廉，广泛用于电子实训、实验板及快速验证电路。 注意事项：该器件为玻璃钝化结构，抗浪涌能力优于塑料封装，但需避免机械应力；实际应用中建议串联限流电阻，并留足功率余量（尤其高温环境）。不适用于高精度或低温漂要求场景，此时应选用带温度补偿的基准源。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.3V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.3D/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 30µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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