Datasheet下载- 型号： 3EZ39D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ39D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ39D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ39D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ39D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ39D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ39D5E3/TR8是一款39V、1.3W通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定39V基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端钳位瞬态高压（如工业控制板、通信接口），防止后级器件损坏； 3. 浪涌抑制：在继电器线圈、电磁阀等感性负载关断时吸收反向电动势，抑制电压尖峰； 4. 电源反馈环路：在离线式开关电源（如AC-DC适配器）中作为次级侧稳压反馈元件（需搭配光耦）； 5. 测试与校准设备：因参数一致性较好，适用于实验室稳压源或便携式仪器中的基准模块。 该器件工作结温范围宽（-65℃~+175℃），可靠性高，适合工业、通信及汽车电子等对稳定性要求较高的场景，但不适用于高频或大电流动态调节场合。注意实际使用时需确保功耗不超过1.3W，并预留足够散热空间。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 39V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ39D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 29.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 28 欧姆 |
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