Datasheet下载- 型号： 3EZ39D5/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ39D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ39D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ39D5/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ39D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ39D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ39D5/TR8是一款39V、1.3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-41封装（TR8表示编带卷装）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为模拟电路（如ADC参考源、传感器供电、运放偏置）提供稳定39V基准电压，适用于对精度要求适中、成本敏感的工业控制或仪表系统。 2. 过压保护（OVP）：常与晶闸管（SCR）或可控硅配合构成“撬棍”（Crowbar）保护电路，当输入电压异常升高（如达39V以上）时触发保护，防止后级IC或负载损坏，广泛用于DC-DC转换器输入端或电池管理系统（BMS）中。 3. 浪涌/ESD钳位：在通信接口（如RS-232、CAN总线）或I/O端口前端，作为瞬态电压抑制辅助器件，配合TVS管限制反向过压，提升系统鲁棒性。 4. 反馈环路补偿：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈回路中，为TL431等基准器件提供预设偏置或阈值检测。 需注意：该器件为通用型齐纳管，动态阻抗较高（典型Zzt≈70Ω），不适用于高精度或高频稳压场景；工作电流建议维持在5–50mA以兼顾稳定性与温升。实际应用中应结合散热设计及外围限流电阻选型。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 39V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ39D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 29.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 28 欧姆 |
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