Datasheet下载- 型号： 3EZ33DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ33DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ33DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ33DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ33DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ33DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ33DE3/TR8是一款33V、1W通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定33V基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，钳位敏感电路节点（如微控制器I/O口、通信接口）的瞬态过压，防止ESD或浪涌损坏； 3. 电源反馈环路：用于线性稳压器（如78xx系列辅助稳压）或开关电源的次级侧电压检测/误差放大参考点； 4. 电平转换与箝位：在工业控制或仪器仪表中，将信号限制在33V安全范围内，避免后级器件击穿； 5. 替代与兼容设计：作为通用33V齐纳管，广泛用于工业电源、LED驱动、测试设备及通信模块的BOM替换方案。 该器件具有±5%标称电压容差、低动态阻抗（典型值40Ω）和良好温度稳定性（TCV约0.07%/°C），适合中等精度、非极端环境下的稳压需求。注意：因属通孔封装且功率为1W，需保证PCB散热及合理布局，不适用于高频或大电流场合。实际应用中建议查阅Microchip官方最新数据手册确认电气参数与可靠性指标。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 33V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ33DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 25.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 欧姆 |
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