Datasheet下载- 型号： 3EZ33D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ33D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ33D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ33D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ33D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ33D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ33D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）生产的 33V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 稳压与参考电压源：在低压电源系统中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC基准、运放偏置）提供稳定33V参考电压；适用于对精度要求适中、功耗不高的场合。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或MOSFET配合，用于DC-DC转换器输出端或接口电路的钳位保护，防止瞬态过压损坏后级IC（如微控制器、通信芯片）。 3. 电压箝位与限幅：在脉冲整形、电平转换或反馈环路中限制信号峰值，例如开关电源的光耦反馈侧电压箝位、工业I/O模块输入保护。 4. 替代传统插件齐纳管：因SMA封装支持自动化贴片生产，广泛用于空间受限的消费电子、网络设备、工业控制板等批量制造场景。 需注意：该器件额定功率为3W，实际应用中须结合散热条件（PCB铜箔面积、环境温度）降额使用；不适用于高精度基准（建议选用带温度补偿的REF系列）或高频瞬态抑制（应选专用TVS）。设计时应校验最大反向电流及长期可靠性（Microsemi产品符合AEC-Q200车规部分要求，但本型号主要面向工业/通信领域）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 33V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ33D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 25.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 欧姆 |
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