Datasheet下载- 型号： 3EZ33D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ33D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ33D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ33D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ33D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ33D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ33D2/TR12是一款33V、1.3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为模拟电路（如传感器接口、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定33V基准电压，适用于对精度要求适中、成本敏感的工业控制或通信模块。 2. 过压保护（OVP）：常用于输入端并联钳位，防止后级IC（如LDO、MCU或接口芯片）遭受瞬态高压（如ESD、浪涌）损坏，尤其适合12–36V系统供电轨的简单防护设计。 3. 浪涌吸收与箝位电路：配合TVS或限流电阻，用于继电器线圈、电磁阀等感性负载关断时的反向电动势抑制，限制尖峰电压不超过33V。 4. 电源反馈环路：在离线式开关电源（如反激变换器）的初级侧反馈网络中，辅助构建稳压检测点（需搭配光耦及分压电阻）。 该器件具有±5%电压容差、低动态阻抗（典型值35Ω）和良好温度稳定性（TC ≈ +0.07%/°C），但不适用于高精度或高温严苛环境（最大结温150°C）。TR12表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。需注意其功率降额使用（如>70°C环境需降低功耗），且不可替代低压/高精度基准源（如TL431）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 33V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ33D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 25.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 欧姆 |
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