Datasheet下载- 型号： 3EZ33D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ33D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ33D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ33D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ33D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ33D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ33D10/TR8是一款3.3V、500mW表面贴装齐纳二极管（DO-214AC/SMA封装），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定3.3V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于保护3.3V逻辑接口（如MCU I/O、UART、SPI引脚）免受瞬态浪涌或ESD冲击； 3. 电源轨钳位：在LDO或DC-DC输出端作辅助稳压/钳位，抑制轻载时的输出过冲； 4. 电平转换与阈值检测：作为简单比较器的参考端，实现3.3V门限的电压监测（如电池欠压告警）； 5. 消费电子与工业控制：广泛应用于机顶盒、网络设备、PLC模块、智能电表等对成本敏感、空间受限且需基础稳压功能的嵌入式系统中。 注意：该器件额定功率仅500mW，不适用于大电流稳压场景；实际应用中需确保功耗（I×Vz）不超过降额后的安全值，并考虑温升影响。TR8表示卷带包装，适合自动化贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 33V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ33D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 25.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 欧姆 |
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