Datasheet下载- 型号： 3EZ30D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ30D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ30D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ30D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ30D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ30D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ30D10/TR12是一款30V、1W额定功率的齐纳二极管（单极型），采用DO-41封装，带10%电压容差（即标称稳压值30V，实际范围约27–33V），TR12表示卷带包装（每卷10,000只）。 该器件主要应用于低压、中小功率的电压基准与过压保护场景： - 稳压电路：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定基准电压； - 过压钳位/ESD防护：在电源输入端或敏感IO口并联使用，将瞬态电压钳位于30V左右，防止后级IC（如MCU、接口芯片）因浪涌或反向感应电压而损坏； - 简单电源调节：配合限流电阻用于非隔离式辅助电源（如继电器驱动、LED恒流偏置）中实现低成本稳压； - 反馈环路基准：在离线式AC-DC适配器或DC-DC转换器的次级反馈网络中，作为TL431等精密基准的低成本替代或辅助稳压元件。 需注意：其1W功耗能力有限，不适用于大电流稳压；齐纳电压温度系数约+5mV/°C（典型），对温漂敏感的应用需额外补偿。设计时须严格计算功耗（P = Vz × Iz），确保长期工作在安全区，并留有足够降额余量。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 30V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ30D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 22.5V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 30V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 16 欧姆 |
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