Datasheet下载- 型号： 3EZ30D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ30D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ30D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ30D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ30D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ30D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ30D/TR12是一款30V、1.3W通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为模拟电路（如传感器接口、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定30V基准电压；适用于输入波动不大、负载电流较小（≤40mA）的场合。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用作后级电路的钳位器件，防止瞬态高压（如ESD、感应浪涌）损坏敏感元件。 3. 电平转换与信号整形：在工业控制或通信接口中，用于将信号钳位至30V逻辑电平，或构建简单稳压限幅电路。 4. 电源反馈环路：在离线式AC-DC适配器或辅助电源中，为PWM控制器（如UC384x系列）提供采样/反馈基准点（需搭配分压网络）。 注意：该器件为通用型齐纳管，温度系数约+5mV/°C（典型值），精度±5%（VZ=30V），不适用于高精度或高温稳定性要求严苛的应用。设计时需确保功耗不超过1.3W（建议降额至0.8W以上长期可靠运行），并注意散热条件。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 30V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ30D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 22.5V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 30V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 16 欧姆 |
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