Datasheet下载- 型号： 3EZ3.9D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.9D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.9D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.9D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ3.9D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ3.9D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ3.9D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 3.9V、500mW 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O提供稳定3.9V基准电压，适用于电池供电设备（如便携式仪表、IoT节点）。 2. 过压保护与箝位：配合TVS或限流电阻，用于保护敏感输入端口（如通信接口RS-232/485、GPIO），将瞬态电压箝位至≈3.9V，防止后级器件损坏。 3. 电源轨监控与调节：在LDO或DC-DC反馈网络中辅助设定输出电压；或用于简易线性稳压器（如与晶体管组合）实现低成本3.9V稳压输出。 4. 信号电平转换与限幅：在模拟前端对小信号进行双向限幅（如音频信号整形、传感器信号调理），抑制噪声或过冲。 该器件具有±5%电压容差、低动态阻抗（典型值10Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C），且符合AEC-Q200（部分批次），亦可用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块的辅助电源监测）。注意其功率限制（≤500mW），不适用于大电流稳压场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.9V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.9D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 80µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.9V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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