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- 型号： 3EZ3.6DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.6DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.6DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.6DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ3.6DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ3.6DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ3.6DE3/TR8 是一款额定稳压值为3.6V、功率为3W的轴向引线齐纳二极管（DO-41封装），符合AEC-Q200（汽车级）和RoHS标准。其典型应用场景包括： - 电压基准与稳压电路：在低功耗电源中为运放、ADC或MCU提供稳定参考电压（如LDO反馈网络、精密分压偏置）； - 过压保护（OVP）：与限流电阻配合，钳位敏感电路节点电压（如I/O端口、传感器接口），防止3.3V系统因瞬态过压损坏； - 浪涌/ESD防护辅助：作为二级保护器件，吸收持续时间较长的低压浪涌能量（需配合TVS或保险丝使用）； - 汽车电子模块：因其AEC-Q200认证，广泛用于车身控制单元（BCM）、照明驱动、CAN总线终端稳压等对可靠性要求高的车载环境； - 工业传感器供电：为温度、压力等模拟传感器提供低噪声、温度稳定性较好的偏置电压（典型温度系数±3.5mV/°C）。 注意：该器件为单齐纳结构，不集成反向保护或瞬态抑制功能，设计时需合理选配限流电阻以确保工作在安全功耗范围内（3W连续耗散），并考虑散热条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.6V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.6DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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