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  • 型号: 3EZ3.6D5/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.6D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.6D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.6D5/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ3.6D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ3.6D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ3.6D5/TR12 是一款额定稳压值为3.6V、功率为3W的齐纳二极管(单管),采用DO-41封装,卷带包装(TR12)。其典型应用场景包括:

1. 低压基准电压源:为传感器、ADC/DAC、运算放大器等提供稳定、低噪声的3.6V参考电压,适用于对精度要求不高的便携式或低成本设备。

2. 过压保护与箝位电路:在电源输入端或信号线上并联使用,当瞬态电压超过3.6V时导通分流,保护后级敏感器件(如MCU I/O口、通信接口)免受ESD或浪涌损伤。

3. 简易稳压/电压限制:用于小电流(≤800mA)的非隔离型线性稳压场合,例如LED恒流驱动中的偏置电压设定、电池供电设备的电压阈值检测(如3.6V锂电池欠压提示)。

4. 电源反馈环路补偿:在开关电源(如反激式)的光耦反馈路径中,配合TL431等器件实现次级电压精密调节,3.6V齐纳可作为辅助基准或启动电路元件。

该器件具有较宽的工作温度范围(-65℃~+175℃)和良好稳定性,但需注意:因属通用型3W齐纳管,动态阻抗相对较高(典型Zzt≈10Ω),不适用于高精度或高频动态负载场景;实际应用中须配限流电阻,并确保功耗不超过额定值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 3.6V 5% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ3.6D5/TR12

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

-

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.6V

阻抗(最大值)(Zzt)

-

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