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- 型号： 3EZ3.6D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ3.6D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ3.6D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ3.6D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ3.6D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ3.6D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ3.6D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 3.6V、1W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差、低动态阻抗和良好温度稳定性。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定3.6V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，钳位敏感IC（如MCU I/O口、通信接口）的瞬态过压，防止ESD或浪涌损坏； 3. 电源轨箝位：在3.3V系统中用于限幅或电平适配，确保逻辑电平不超器件绝对最大额定值； 4. 反馈环路稳压：在小功率线性稳压器或DC-DC反馈分压网络中替代精密基准，简化设计并降低成本； 5. 工业与汽车电子：凭借AEC-Q200兼容性（TR12为卷带包装，适用于自动化贴片），广泛用于车载信息娱乐系统电源管理、工业PLC模块及仪器仪表的辅助稳压电路。 该器件具备高可靠性、低漏电流（典型值<1μA @ VR）及-65°C~+175°C宽温工作范围，适合对尺寸、效率和鲁棒性有要求的嵌入式与电源管理应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 3.6V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ3.6D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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