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产品简介:
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Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ20D5E3/TR8是一款20V、3W通孔式齐纳二极管(单管),采用DO-41封装,具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源)中提供稳定20V基准电压;适用于线性稳压器的取样/反馈网络或辅助电源轨稳压。 2. 过压保护(OVP):与限流电阻配合,用作IC输入端的钳位器件,防止瞬态高压(如ESD、感应浪涌)损坏后级敏感元件(如运放、MCU I/O口)。 3. 电源浪涌抑制:在DC适配器、工业控制板等场合,作为简单可靠的箝位元件,吸收短时能量脉冲,提升系统鲁棒性。 4. 波形整形与限幅:在音频前置放大、信号发生器等电路中实现信号幅度限制或削波功能。 该器件因3W功率额定值较高、可靠性强(符合AEC-Q200应力测试标准),常见于工业自动化、通信电源、汽车电子(非安全关键模块)及仪器仪表等对稳定性要求较高的中低频应用。注意:需配合适当散热及限流设计,避免持续功耗超限。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 20V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ20D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 15.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 20V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 7 欧姆 |