Datasheet下载- 型号： 3EZ20D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ20D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ20D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ20D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ20D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ20D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ20D2/TR12是一款20V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定20V基准电压，适用于对精度和温度稳定性要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感IC供电轨前端，当电压异常升高（如浪涌、反接或LDO失效）时，齐纳击穿导通，配合限流电阻钳位电压，保护后级器件（如MCU、运放等）。 3. 浪涌抑制与箝位电路：在通信接口（如RS-232/485收发器）、工业I/O模块中，与TVS或RC网络协同，吸收瞬态能量，抑制ESD或EFT干扰。 4. 简单稳压电源：在小电流（≤100mA）、低成本、非隔离型辅助电源中（如继电器驱动、LED偏置），替代线性稳压器，实现简易稳压输出。 该器件具有±5%标称电压容差、典型动态阻抗约30Ω、低漏电流（≤5μA @ 15V），适合中等精度、中等功率需求场景。需注意其功耗限制（3W），须合理设计散热及限流电阻以避免热失效。广泛应用于工业控制、通信设备、仪器仪表及消费电子电源管理模块中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 20V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ20D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 15.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 20V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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