Datasheet下载- 型号： 3EZ20D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ20D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ20D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ20D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ20D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ20D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ20D10E3/TR12是一款20V、1W表面贴装齐纳二极管（采用DO-214AC/SMA封装），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置电路）中提供稳定20V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端钳位瞬态高压（如浪涌、ESD），保护后级IC（如MCU、FPGA供电轨）； 3. 电源反馈环路：在小功率开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，作为误差检测基准元件； 4. 电平转换与箝位：在接口电路（如RS-232、工业I/O）中限制信号摆幅，防止器件超出额定电压范围； 5. 电池管理系统（BMS）：用于单节或多节锂电采样电路中的电压分压基准或过压告警阈值设定。 该器件具备AEC-Q200兼容性（部分批次）、高可靠性及宽工作温度范围（-65℃~+175℃），适用于工业控制、汽车电子（非安全关键系统）、通信设备及医疗仪器等对稳定性要求较高的场景。TR12表示卷带包装（12mm载带），便于自动化贴片生产。需注意：实际应用中应确保功耗不超过1W（需合理降额设计），并避免长期工作在最大额定电流下以保障寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 20V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ20D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 15.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 20V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
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