图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： 3EZ190D5/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ190D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ190D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ190D5/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ190D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ190D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ190D5/TR8 是一款额定稳压值为190V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： - 高压稳压与基准电压源：在工业电源、高压DC-DC转换器或仪表电路中，为控制电路（如PWM控制器、比较器）提供稳定190V参考电压，适用于需高精度高压基准的场合。 - 过压保护（OVP）与钳位电路：串联或并联于敏感电路前端，当输入电压异常升高（如浪涌、雷击感应）时，齐纳击穿导通，将电压钳位在≈190V，保护后级MOSFET、IC或传感器。 - 浪涌吸收与电压箝位：配合TVS或RC网络，用于开关电源、电机驱动、继电器线圈续流等场景，抑制关断瞬态高压（如电感反电动势），防止器件击穿。 - 高压检测与反馈电路：在高压电池组（如储能系统）、X射线发生器、激光驱动电源中，作为分压采样后的稳压元件，提升电压检测稳定性与抗干扰能力。 注意：该器件最大耗散功率3W，需确保散热条件良好；实际工作电流应控制在额定范围内（典型测试电流IZT约12.6mA），避免热失效。不适用于高频或大电流动态调节场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 800 欧姆 |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
3EZ190D5/TR8 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商