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- 型号： 3EZ190D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ190D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ190D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ190D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ190D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ190D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ190D2/TR12 是一款额定稳压值为190V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于需190V高精度稳压的模拟电路或电源反馈回路，如工业开关电源的过压保护参考点、高压DC-DC转换器的电压基准。 2. 过压保护（OVP）：常与晶闸管（SCR）或可控硅配合构成“撬棍”（Crowbar）电路，在输入电压异常升高时触发短路保护，防止后级器件损坏（如医疗设备、测试仪器中的高压模块）。 3. 浪涌/瞬态电压钳位：在通信接口（如RS-485长线传输）或电机驱动电路中，作为初级箝位元件，吸收感应高压尖峰（需配合限流电阻使用）。 4. 高压偏置与检测电路：用于光电倍增管（PMT）、CCD偏置电源或高压传感器信号调理电路中，提供稳定偏置电压或作为电压检测阈值元件。 注意事项：该器件反向击穿电压高（190V），动态阻抗相对较大，不适用于低噪声精密基准；工作时需严格控制功耗（≤3W），须配合适当散热及限流设计；典型测试电流IZT为12.5mA，实际应用中应确保工作电流在此附近以保障稳压精度。 综上，3EZ190D2/TR12 主要面向中高电压、中小功率的工业控制、电源保护及测试测量等场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 800 欧姆 |
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