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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 3EZ190D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ190D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ190D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ190D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ190D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ190D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ190D10E3/TR12 是 Vishay（威世）生产的表面贴装型齐纳二极管，标称稳压值为190 V，功率为3 W，采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 过压保护电路：用于电源输入端或敏感电路前级，配合TVS或限流电阻，钳位瞬态高压（如雷击、开关浪涌），防止后级器件损坏。 2. 高电压基准源：在工业控制、高压电源反馈环路或精密仪器中，为误差放大器或ADC提供稳定参考电压（需搭配低噪声偏置电路与滤波）。 3. 稳压/箝位应用：适用于≥190 V的直流稳压场合，如激光驱动器、CCFL背光电源、电表高压模块等中等功率系统中的电压箝位与稳压。 4. 浪涌抑制与ESD防护辅助：虽非专用于ESD，但可与TVS协同构成多级防护，提升系统对EFT（电快速瞬变）和浪涌的耐受能力。 注意事项：该器件反向击穿电压容差通常为±5%，温度系数较高（约+0.1%/°C），高温环境下需降额使用；建议加散热焊盘以保障3 W长期可靠工作。不适用于低压、低功耗或高精度基准场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 800 欧姆 |
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