Datasheet下载- 型号： 3EZ18D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ18D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ18D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ18D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ18D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ18D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ18D2/TR12是一款18V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）提供稳定18V基准电压，适用于对精度要求适中、成本敏感的工业控制板或嵌入式系统。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或串联限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU、运放、通信接口芯片）免受瞬态过压（如电源浪涌、ESD耦合）损害，尤其适用于12–24V工业电源输入端的初级钳位。 3. 电源反馈环路：在离线式开关电源（如反激变换器）的光耦反馈回路中，作为辅助稳压元件，确保光耦LED电流稳定，提升输出电压精度与负载调整率。 4. 电平箝位与波形整形：在信号链中限制信号幅值（如将±20V输入箝位至0–18V范围），防止后级器件饱和或损坏，常见于工业I/O模块、PLC输入通道设计。 该器件具备良好的热稳定性（额定功率3W）、较低动态阻抗（典型Zzt ≈ 25Ω）及可靠的老化特性，适合宽温（–65°C 至 +175°C）和高可靠性要求的工业、通信及汽车电子（非安全关键系统）环境。需注意其最大齐纳电流（≈167mA）及散热设计，避免长时间满负荷工作导致参数漂移。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 18V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ18D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 13.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 18V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 6 欧姆 |
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