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- 型号： 3EZ180D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ180D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ180D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ180D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ180D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ180D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ180D5E3/TR8 是 Vishay（威世）生产的 180V、3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-204AL（DO-41）封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： 1. 过压保护：用于电源输入端或敏感电路前级，当电压异常升高至180V时导通泄流，配合限流电阻保护后级IC、传感器等免受浪涌或瞬态高压损坏。 2. 高电压稳压参考：在工业控制、高压电源反馈环路（如开关电源的次级侧电压检测）、精密仪器中，作为180V基准源，为误差放大器或监控电路提供稳定参考电压（需注意温度系数和动态阻抗影响）。 3. 浪涌抑制与钳位：在继电器线圈、电磁阀驱动或感性负载关断回路中，用作反向电动势（flyback voltage）钳位器件，防止MOSFET/IGBT被击穿。 4. 高压检测与告警电路：在电力监控、电池组（如多串锂电或铅酸电池组）高压检测模块中，配合分压网络实现阈值触发（如超压报警或保护关断）。 该器件额定功率3W、典型齐纳电压180V（容差±5%）、最大测试电流约16.7mA，适用于中等功率、中低频稳压/保护场景；不适用于高频或大电流动态调节。使用时需确保散热良好，并严格匹配限流电阻以避免热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 180V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ180D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 136.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 180V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 700 欧姆 |
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