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  • 型号: 3EZ180D5E3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ180D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ180D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ180D5E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ180D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ180D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ180D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology 旗下)生产的单齐纳二极管,标称稳压值为180V,额定功率为3W(DO-41封装),具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其主要应用场景包括:

- 高压电源稳压与基准:用于开关电源、CRT显示器高压电路、工业电源等中,为控制电路提供稳定的180V参考电压或钳位基准。

- 过压保护(OVP)与浪涌抑制:并联在敏感电路(如栅极驱动、传感器接口)两端,吸收瞬态高压脉冲(如ESD、电感反电动势),防止器件击穿。

- 电压箝位与限幅:在高压信号调理、脉冲整形或反馈环路中,限制电压峰值不超过180V,保障后级IC(如运放、MCU)安全。

- 高压偏置与启动电路:常见于PFC控制器、高压LED驱动或离线式AC-DC转换器中,为启动电阻网络或启动电容提供精确的稳压偏置点。

该器件具备高可靠性、宽工作温度范围(-65°C ~ +175°C)及符合AEC-Q200(部分批次)的工业/汽车级要求,适用于工业控制、医疗设备、通信电源及航空航天等对稳定性与耐压性要求较高的场景。注意:实际应用需配合限流电阻,并确保功耗不超3W,避免热失效。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 180V 5% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ180D5E3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 136.8V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

180V

阻抗(最大值)(Zzt)

700 欧姆

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