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- 型号： 3EZ180D5/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ180D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ180D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ180D5/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ180D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ180D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ180D5/TR8 是一款额定稳压值为180V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： - 高压稳压与基准电压源：适用于需180V高精度稳定参考电压的电路，如高压电源反馈回路、工业传感器信号调理电路中的基准源。 - 过压保护（OVP）与钳位：常用于开关电源、电机驱动或通信接口中，作为瞬态电压抑制辅助器件，将异常高压钳位在180V附近，防止后级IC或MOSFET损坏（需配合限流电阻使用）。 - 浪涌吸收与电压箝位网络：在继电器线圈续流、感性负载关断尖峰抑制等场合，与RC网络协同实现能量泄放和电压限制。 - 高压测试与校准设备：因参数一致性较好（容差通常±5%，D5标号对应），可用于实验室高压模块的校准参考或老化测试负载。 注意：该器件最大耗散功率为3W，实际应用中需确保散热良好，避免持续满载；不适用于高频或大电流动态钳位场景，亦不可替代TVS二极管用于ESD/EFT防护。典型工作电流建议控制在5–20mA范围以兼顾稳定性与寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 180V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ180D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 136.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 180V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 700 欧姆 |
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