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- 型号： 3EZ180D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ180D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ180D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ180D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ180D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ180D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ180D10/TR12是一款180V、1W额定功率的单齐纳二极管，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 过压保护与稳压：适用于中高压电源电路中的基准电压源或箝位保护，如工业控制电源、通信设备供电模块中对180V左右电压节点进行稳压或限幅。 2. 浪涌/瞬态抑制辅助电路：常与TVS或MOV配合，作为二级精密箝位元件，在电源输入端或敏感模拟电路前提供更精确的电压钳位（如传感器接口、ADC参考电压保护）。 3. 高压偏置与基准生成：在高压运算放大器、光电耦合器驱动、CCFL背光控制等需要稳定高压偏置的模拟电路中，提供低动态阻抗的180V基准。 4. 老化测试与校准设备：因参数一致性较好（典型Zz约500Ω），可用于实验室高压基准源或电子负载的反馈检测电路。 需注意：该器件最大功耗1W，实际应用中须确保散热条件良好；建议工作电流控制在5–50mA范围内以兼顾稳压精度与寿命。不适用于高频或大电流动态调节场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 180V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ180D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 136.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 180V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 700 欧姆 |
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