Datasheet下载- 型号： 3EZ17DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ17DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ17DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ17DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ17DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ17DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ17DE3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的 17V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AA（SMB）封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定17V基准电压；适用于输入波动不大、负载较轻的场合。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或串联限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU、通信接口芯片）免受瞬态过压（如浪涌、ESD耦合）损害，当电压超过17V时导通分流。 3. 电源钳位与箝位电路：在开关电源反馈环路、电平转换或信号调理电路中，将信号或节点电压钳位于17V，防止器件击穿或误动作。 4. 工业与通信设备：广泛应用于工业控制模块、PLC输入/输出接口、基站辅助电源、光模块供电等对可靠性要求较高的场景，得益于Microsemi在高可靠性、宽温（-65°C~+175°C）、AEC-Q200兼容性方面的优势。 注意：该器件为单齐纳结构，无内置限流电阻，实际应用中需外接限流电阻以确保工作电流在额定功率（3W）及齐纳测试电流（IZT）范围内，避免热失效。不适用于大电流稳压主电源路径。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 17V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ17DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 13V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 17V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 6 欧姆 |
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