Datasheet下载- 型号： 3EZ17D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ17D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ17D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ17D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ17D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ17D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ17D5E3/TR8是一款额定功率为3W、标称齐纳电压为17V（容差通常±5%）、DO-41封装的单齐纳二极管。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低精度、中小功率电源中为参考电路或误差放大器提供稳定基准电压，如线性稳压器的取样反馈网络。 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶体管配合构成撬棒（crowbar）电路，当输入/输出电压异常升高至约17V时导通，触发保护动作，防止后级器件损坏。 3. 浪涌钳位与ESD防护：在信号线或电源入口处并联使用，将瞬态高压钳位于17V附近，吸收浪涌能量（需配合限流电阻），适用于工业控制、通信接口等对成本敏感且浪涌等级适中的场合。 4. 模拟电路偏置：为运算放大器、传感器调理电路等提供简单、低成本的偏置电压源。 注意：该器件为玻璃钝化结构，具备较好稳定性与可靠性，但非高精度基准（温漂约−2.5 mV/°C），不适用于精密ADC参考或温度敏感场景；TR8表示编带包装，适合自动化贴片生产。实际应用中需校核功耗（P = Vz × Iz）、散热条件及动态响应要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 17V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ17D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 13V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 17V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 6 欧姆 |
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