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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ17D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ17D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ17D5E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ17D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ17D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ17D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology 旗下品牌)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为17V,额定功率为3W,采用DO-41封装,带卷带包装(TR12)。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗线性稳压电路中,为运算放大器、ADC/DAC或传感器提供稳定参考电压;也可作为简单并联稳压器,用于小电流负载(≤100mA)的电源稳压。 2. 过压保护(OVP)与钳位:与TVS或限流电阻配合,用于IC输入/输出端口的瞬态电压抑制,防止17V以上反向或浪涌电压损坏后级电路(如微控制器I/O、通信接口)。 3. 电源反馈环路:在离线式开关电源(如反激变换器)的初级侧反馈电路中,辅助构建隔离反馈路径(常与光耦配合),实现输出电压调节。 4. 浪涌吸收与箝位电路:在继电器线圈、电感负载关断时吸收反电动势,将电压箝位于17V,保护驱动晶体管。 该器件具有良好的温度稳定性(TC ≈ ±0.07%/°C)、低动态阻抗(Zzt ≈ 15Ω)及AEC-Q200兼容选项(部分批次),适用于工业控制、通信电源、汽车电子(非安全关键系统)及消费类设备等对成本与可靠性有平衡要求的场景。注意需配合限流电阻使用,并确保功耗不超过3W。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 17V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ17D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 13V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 17V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 6 欧姆 |