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  • 型号: 3EZ17D2E3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ17D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ17D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ17D2E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ17D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ17D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的型号3EZ17D2E3/TR12是一款17V、1W额定功率的齐纳二极管(单齐纳),采用DO-41封装,带卷带包装(TR12)。其典型应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路或传感器供电中,为ADC参考源、运放偏置或微控制器复位电路提供稳定17V基准电压;  
2. 过压保护(OVP):与TVS或限流电阻配合,用于电源输入端箝位瞬态高压(如浪涌、ESD),防止后级IC损坏;  
3. 信号电平箝位:在通信接口(如RS-232、工业IO)中限制信号摆幅,避免超出接收器件耐压范围;  
4. 简单线性稳压器辅助元件:作为分立稳压电路的核心器件,适用于小电流(≤50mA)、低成本场合,如电池供电仪表、LED驱动偏置等;  
5. 温度补偿电路:利用其负温度系数特性(约−1.8 mV/°C),与正温度系数元件搭配实现宽温区基准稳定。

该器件具有±5%电压容差、低动态阻抗(典型值≤20Ω)和良好长期稳定性,适合工业控制、电源适配器、测试设备及汽车电子(符合AEC-Q200非强制但可选应用)等对可靠性要求较高的场景。需注意:实际使用时应确保功耗不超过1W(即Iz ≤ 59mA),并留有足够散热余量。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 17V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ17D2E3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 13V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

17V

阻抗(最大值)(Zzt)

6 欧姆

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