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- 型号： 3EZ170D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ170D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ170D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ170D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ170D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ170D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ170D10E3/TR8 是 Vishay（威世）生产的单个齐纳二极管，标称稳压值为170V，额定功率为3W（DO-41封装），容差±5%，最大测试电流IZT为12mA，典型动态阻抗约500Ω。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于需170V稳定参考电压的电源电路，如工业控制、测试仪器中的高精度电压基准或偏置电路。 2. 过压保护与钳位：常与TVS或限流电阻配合，用于保护后级敏感器件（如MCU、ADC、光耦输入端）免受瞬态高压（如开关噪声、感应浪涌）损坏，在开关电源、电机驱动、继电器控制板中常见。 3. 反馈环路补偿：在高压反激式或LLC变换器中，作为辅助绕组稳压采样点的分压基准，提升输出电压精度与负载调整率。 4. 高压LED驱动/恒流源：在串联多颗LED的恒压驱动设计中，提供稳定的高压参考，配合运放或三极管构建精密恒流电路。 5. 电平转换与信号整形：在高压信号调理电路中实现电平钳位或限幅，如工业传感器接口（如4–20mA变送器的供电侧保护）。 注意事项：该器件为玻璃钝化结构，可靠性高，但需确保功耗不超过3W（注意PCB散热及脉冲条件），且不适用于高频或大纹波场合。实际应用中建议留足电压裕量（如工作电压≤153V），避免长期临界工作影响寿命。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 170V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ170D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 130.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 170V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 650 欧姆 |
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