Datasheet下载- 型号： 3EZ16DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ16DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ16DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ16DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ16DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ16DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ16DE3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的一款 16V、3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR8 表示卷带盘装）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路、传感器供电、ADC/DAC 参考源中提供稳定16V基准电压；适用于对精度要求适中、成本敏感的工业控制板或仪表电路。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端钳位瞬态高压（如ESD或浪涌），防止后级LDO或MCU损坏，常见于通信模块、工控接口（RS-485/232电源侧）。 3. 信号电平箝位：在音频、数据线（如I²C上拉节点）中限制信号摆幅，避免超过器件最大额定电压，提升系统鲁棒性。 4. 替代传统插件齐纳管：因采用SMA封装，适合自动化贴片生产，广泛用于空间受限的消费电子、网络设备电源管理单元及LED驱动反馈环路中。 该器件具有±5%标称电压容差、低动态阻抗（典型值15Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C），但不适用于高精度或高温（>125°C）严苛环境。需注意散热设计——满功率工作时须保证PCB铜箔散热面积充足。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 16V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ16DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 12.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 16V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 5.5 欧姆 |
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