Datasheet下载- 型号： 3EZ160D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ160D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ160D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ160D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ160D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ160D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ160D5E3/TR12是一款额定稳压值为160V、功率为3W的单齐纳二极管，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于需高精度、高稳定160V基准电压的模拟电路、电源反馈回路或ADC/DAC参考源，尤其在工业控制、测试仪器中提供可靠电压基准。 2. 过压保护（OVP）与箝位电路：常用于开关电源、电机驱动或通信接口前端，作为瞬态电压抑制辅助器件，配合TVS或MOSFET实现160V级过压箝位，防止后级IC损坏。 3. 浪涌吸收与缓冲：在继电器线圈、感性负载关断时吸收反向电动势，或与RC网络配合构成缓冲器，提升系统可靠性。 4. 高压偏置与启动电路：在离线式AC-DC转换器中，为启动电阻后的高压启动电路提供稳定偏置电压，确保控制器IC可靠上电。 需注意：该器件最大功耗3W，须合理设计散热（如PCB铜箔面积）；动态阻抗较高（典型值约800Ω），不适用于大电流或高精度低噪声场合；实际应用中建议留足电压裕量，并配合限流电阻使用。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 160V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ160D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 121.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 160V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 625 欧姆 |
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