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- 型号： 3EZ160D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ160D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ160D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ160D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ160D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ160D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ160D2E3/TR12 是 Vishay（威世）生产的 160V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 过压保护：用于电源输入端或敏感电路节点，当瞬态电压超过160V时导通分流，配合限流电阻保护后级IC、传感器或通信接口（如RS-485收发器）免受浪涌或ESD冲击。 2. 精密稳压参考：在中等功率（≤3W）、对温漂要求不苛刻的场合，为模拟电路（如ADC基准源缓冲、运放偏置电路）提供稳定参考电压；需注意其温度系数约−0.09%/°C，适用于工业常温环境。 3. 电压钳位与箝位电路：在开关电源反馈环路、PWM驱动电路或信号调理前端，将信号或反馈电压限制在160V以内，防止误触发或器件击穿。 4. LED驱动与恒流控制：在简易恒流源设计中，与晶体管配合构成基准电压节点，实现LED串电压监测与限压保护。 该器件不适用于高频或高精度基准应用（如精密仪器），亦不可替代低压低功耗齐纳管（如BZX84系列）。使用时须确保功耗不超过3W（需计算平均功耗并考虑散热），并建议添加串联限流电阻以保障可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 160V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ160D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 121.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 160V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 625 欧姆 |
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