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- 型号： 3EZ160D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ160D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ160D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ160D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ160D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ160D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ160D2/TR8 是一款额定稳压值为160V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： - 高压稳压与基准源：适用于160V左右的高精度稳压电路，如开关电源次级反馈回路、工业控制板中的参考电压源，为误差放大器或PWM控制器提供稳定基准。 - 过压保护（OVP）与钳位：在高压模拟电路、电机驱动或电源输入端，用作瞬态电压抑制（TVS辅助）或箝位元件，防止后级器件因浪涌或反向电动势损坏。 - 高压偏置与分压网络：在光耦隔离驱动、高压MOSFET栅极偏置、或高压传感器信号调理电路中，提供稳定偏置点。 - 测试与测量设备：用于高压校准源、电子负载、绝缘耐压测试仪等仪器内部的稳压/限幅模块。 需注意：该器件最大稳定电流约18.75mA（3W/160V），实际应用中应配合限流电阻，并考虑温度系数（典型±0.07%/°C）及功耗裕量，避免热失效。不适用于高频或大动态响应场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 160V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ160D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 121.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 160V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 625 欧姆 |
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