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- 型号： 3EZ160D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ160D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ160D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ160D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ160D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ160D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ160D2/TR12 是一款额定稳压值为160V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准电压源：适用于需160V高精度稳压的模拟电路或电源反馈回路，如工业控制电源、高压LED驱动器的参考电压生成。 2. 过压保护（OVP）与钳位电路：常用于开关电源、电机驱动或通信接口中，对瞬态高压（如浪涌、ESD）进行钳位，防止后级器件（如MOSFET、IC）损坏。 3. 电压检测与监控电路：配合分压电阻构成高压检测节点，用于电池管理系统（BMS）、HVDC模块或充电桩中的过压告警与关断逻辑。 4. 线性稳压辅助电路：在LDO或三端稳压器前级作预稳压或偏置电压设定，提升系统稳定性。 该器件具有良好的温度稳定性和低动态阻抗（典型Zzt ≈ 500Ω），但需注意其最大功耗限制（3W），设计时须合理计算功耗并确保散热；同时避免长期工作在接近极限参数状态。不适用于高频或大电流场合，亦不可替代TVS二极管作主ESD防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 160V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ160D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 121.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 160V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 625 欧姆 |
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