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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 3EZ160D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ160D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ160D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ160D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ160D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ160D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ160D10E3/TR8 是 Vishay（威世）生产的 1.3W 表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为 160V（容差 ±5%），典型动态阻抗低，具有良好的温度稳定性和长期可靠性。其主要应用场景包括： - 高压稳压与基准源：在工业电源、仪表电路或高压DC-DC转换器中，为控制IC、ADC参考或反馈网络提供高精度、低温漂的160V基准电压。 - 过压保护（OVP）钳位：并联于敏感高压节点（如MOSFET漏极、变压器次级或PFC电路输出端），当瞬态电压超过160V时导通泄放能量，防止后级器件击穿。 - 浪涌抑制与ESD防护辅助：配合TVS或压敏电阻使用，在雷击或开关浪涌下承担部分钳位功能，提升系统鲁棒性（需注意其功率限制，适用于中小能量脉冲）。 - 高压偏置与分压电路：在光电耦合器、高压运放或真空荧光屏（VFD）驱动电路中，提供稳定偏置点或构成高阻值分压链。 该器件采用 DO-214AC（SMA）封装，适合自动化贴片生产；TR8表示卷带包装，适用于大批量产线。需注意：160V属高稳压值，设计时须确保功耗不超过1.3W（建议降额至0.8W以下），并留足电气间隙与爬电距离以满足安规要求。不适用于高频或大电流稳压场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 160V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ160D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 121.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 160V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 625 欧姆 |
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