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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 3EZ160D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ160D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ160D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ160D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ160D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ160D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ160D10E3/TR12 是 Vishay（威世）生产的 160V、1.3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 过压保护：在电源输入端或敏感电路节点（如MCU供电轨、传感器接口）中，作为并联型稳压/钳位器件，吸收瞬态过压（如ESD、开关噪声），防止后级元件损坏。 2. 基准电压源：为低功耗模拟电路（如ADC参考分压器、比较器阈值设定、电流检测放大器偏置）提供稳定160V基准（需配合限流电阻使用），适用于高压测量系统中的局部稳压需求。 3. 浪涌抑制与箝位：在工业控制、电机驱动或HVAC等含感性负载的电路中，与TVS或RC缓冲网络协同，限制关断时产生的反向电动势尖峰。 4. 高压电源反馈环路：在离线式开关电源（如反激变换器）的光耦反馈路径中，辅助实现高精度输出电压采样与稳压。 该器件工作结温范围宽（-65℃~+175℃），适合工业及汽车级应用；TR12表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。注意：因额定功率仅1.3W，需严格计算功耗（P = Vz × Iz），避免持续大电流工作导致热失效；实际设计中应留足裕量并确保PCB散热。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 160V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ160D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 121.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 160V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 625 欧姆 |
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