Datasheet下载- 型号： 3EZ160D/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ160D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ160D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ160D/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ160D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ160D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ160D/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为160 V，额定功率为3 W（DO-41封装），采用TR8卷带包装。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于需高精度、高稳定160 V基准电压的电源电路，如工业仪表、测试设备中的参考电压模块。 2. 过压保护（OVP）与箝位电路：常用于开关电源、电机驱动或通信接口前端，对瞬态高压（如雷击、电感反电动势）进行快速箝位，防止后级器件损坏。 3. 浪涌抑制与ESD防护辅助：虽非专用TVS，但在成本敏感、能量适中的场合可配合RC网络实现初级浪涌吸收（需注意其响应速度与能量耐受限制）。 4. 高压偏置与分压调节：在高压放大器、光电耦合器隔离供电、CRT/LED背光驱动等电路中提供稳定偏置点。 注意事项：该器件为玻璃钝化结构，具有较好稳定性与低动态阻抗，但须严格控制功耗（建议降额使用）、避免持续大电流工作；不适用于高频或大能量脉冲场景。设计时应结合散热考虑，并确保反向电流在IZK（膝点电流）以上以保障稳压性能。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 160V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ160D/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 121.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 160V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 625 欧姆 |
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