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- 型号： 3EZ140DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ140DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ140DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ140DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ140DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ140DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ140DE3/TR12 是一款额定稳压值为140V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），由Vishay（威世）生产（“-”品牌通常指代Vishay等无独立子品牌标识的通用工业器件）。其典型应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：在高压电源电路中为控制IC或传感器提供稳定参考电压（如140V±5%），适用于工业电源、LED驱动器或电表的辅助供电电路。 2. 过压保护（Clamping）：并联于敏感电路（如MOSFET栅极、运放输入端）以吸收瞬态高压尖峰，防止因雷击、开关噪声或感性负载反电动势导致损坏。 3. 浪涌抑制与电压箝位：在通信接口（如RS-485总线）、电机驱动板或电源输入级中，配合TVS或RC网络实现初级过压防护。 4. 反馈环路补偿：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，作为高电压侧稳压元件，辅助调节输出精度。 该器件采用DO-41封装，具有低动态阻抗和良好温度稳定性（TC ≈ +0.07%/°C），适合-65°C至+175°C宽温工业环境。注意：因140V属较高稳压值，需确保功耗不超过3W（建议降额至2.1W长期使用），并注意PCB散热设计。不适用于低压数字电路或精密基准（如需ppm级精度应选带隙基准）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 140V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ140DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 106.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 140V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 475 欧姆 |
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