Datasheet下载- 型号： 3EZ140D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ140D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ140D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ140D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ140D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ140D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ140D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为140 V，额定功率为3 W（DO-41封装），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 高压基准电压源：在工业电源、测试仪器或高压DC-DC转换器中，为误差放大器或ADC提供精确、稳定的140 V参考电压； 2. 过压保护（OVP）电路：与晶闸管（SCR）或可控硅配合构成撬棒（Crowbar）保护电路，当输入/母线电压异常升高至约140 V时触发保护，防止后级器件损坏； 3. 浪涌抑制与箝位：在通信设备、电力仪表或电机驱动的瞬态抑制电路中，限制感应电压尖峰，保护敏感IC或MOSFET栅极； 4. 高压偏置与分压网络：用于光电倍增管（PMT）、CCD偏置电源或高压传感器供电电路中，提供稳定偏置点。 该器件适用于-65°C 至 +175°C宽温环境，具备高可靠性，常见于航空航天、军工、能源及工业控制等对长期稳定性与鲁棒性要求严苛的领域。注意：实际应用中需结合限流电阻设计，并考虑功耗与散热，避免持续工作在额定功率极限。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 140V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ140D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 106.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 140V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 475 欧姆 |
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