Datasheet下载- 型号： 3EZ140D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ140D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ140D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ140D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ140D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ140D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ140D10/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的一款单齐纳二极管，标称稳压值为140V，额定功率为3W（DO-41封装），容差通常为±5%，具有低动态阻抗和良好温度稳定性。 其主要应用场景包括： 高压稳压与基准源：在工业电源、高压DC-DC转换器或仪表电源中，为控制电路提供稳定的140V参考电压； 过压保护（OVP）钳位：与TVS或可控硅配合，用于通信设备、电力监控系统或电机驱动器中，限制瞬态高压（如雷击感应、开关浪涌），防止后级器件损坏； 浪涌吸收与箝位电路：在继电器线圈、IGBT栅极驱动或电感负载关断回路中，吸收反向电动势（flyback voltage），抑制电压尖峰； 高压偏置与分压网络：在光电耦合器隔离电源、高压传感器接口或X射线发生器等设备中，作为高精度偏置节点的稳压元件。 该器件适用于工作温度范围宽（-65℃~+175℃）、可靠性要求高的工业及汽车电子环境（符合AEC-Q200相关标准）。需注意其较大稳压值对PCB爬电距离与绝缘设计提出更高要求。实际应用中建议配合限流电阻使用，并留足功率裕量以保障长期稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 140V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ140D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 106.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 140V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 475 欧姆 |
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