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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ13D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ13D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ13D2E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ13D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ13D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ13D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)生产的 13V、3W 表面贴装齐纳二极管,采用 DO-214AC(SMA)封装。其典型应用场景包括: - 电压基准与稳压:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC/DAC参考源)提供稳定13V基准电压,适用于对精度和温漂要求适中的场合。 - 过压保护(OVP):常用于电源输入端或敏感IC供电轨,当瞬态电压超过13V时导通分流,配合限流电阻实现简单可靠的钳位保护。 - 浪涌抑制与ESD防护辅助:虽非专用TVS,但在中低速、低能量瞬变(如继电器开关噪声、轻度感应干扰)场景下可作为低成本箝位元件使用。 - 工业控制与通信设备:广泛应用于PLC模块、RS-485接口电源稳压、嵌入式系统LDO前级预稳压等场景,得益于其3W功率能力与SMA封装的可靠焊接性及热性能。 - 汽车电子(AEC-Q200兼容版本需确认):在非安全关键的车载信息娱乐或车身控制模块中,用于12V系统稳压/监测(注意:该型号标准版非车规,实际车用需选用对应AEC-Q200认证型号)。 注:TR12表示卷带包装(12mm载带),适用于自动化贴片生产。设计时需注意功耗限制、温度降额及动态阻抗影响,确保长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 13V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ13D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 9.9V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 13V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 4.5 欧姆 |