Datasheet下载- 型号： 3EZ13D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ13D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ13D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ13D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ13D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ13D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ13D10E3/TR8是一款13V、1W额定功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，符合AEC-Q200可靠性标准（“E3”后缀通常表示汽车级认证，“TR8”表示卷带包装）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为传感器、ADC/DAC参考源、电源监控电路等提供稳定13V基准电压，适用于工业控制、车载电子模块中的精密偏置电路。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于保护下游敏感器件（如MCU、通信接口）免受瞬态过压（如负载突降、ESD）影响，常见于汽车ECU、车身控制模块（BCM）及车载充电电路。 3. 浪涌钳位与箝位电路：在开关电源反馈环路、电机驱动栅极驱动器中，用于限制电压尖峰，确保MOSFET/IGBT安全工作。 4. 汽车电子系统：得益于其AEC-Q200认证和宽温范围（-65°C ~ +175°C），广泛应用于车载信息娱乐系统、ADAS摄像头供电、LED车灯恒压驱动等对可靠性和温度适应性要求严苛的场景。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性及高浪涌承受能力（如30A峰值脉冲），适合在恶劣电气环境中长期稳定运行。注意实际应用中需合理设计功耗（避免超1W持续耗散）并考虑散热条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 13V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ13D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 9.9V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 13V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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