Datasheet下载- 型号： 3EZ130D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ130D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ130D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ130D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ130D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ130D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ130D5E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为130 V，功率为3 W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： - 高压稳压与基准源：在工业电源、仪表电源或高压DC-DC转换器中，为控制电路提供稳定130 V参考电压，尤其适用于对温度稳定性与长期可靠性要求较高的场合。 - 过压保护（OVP）钳位：与TVS或串联限流元件配合，用于保护后级敏感器件（如MOSFET栅极驱动、ADC前端）免受瞬态高压冲击（如浪涌、感应尖峰），利用其精确击穿特性实现精准钳位。 - 反馈环路补偿：在高压开关电源（如PFC预稳压级或隔离式反激副边稳压）中，作为光耦反馈路径的高电压基准或误差放大器输入基准，提升系统稳压精度。 - 高压检测与分压辅助：与高阻值电阻构成分压网络，将数百伏高压信号安全衰减至MCU/比较器可测范围，齐纳管提供温度补偿性基准点，提高检测一致性。 该器件具备良好的高温稳定性（工作结温达175°C）、低动态阻抗及严格容差（±5%，型号中“D5”标识），适合严苛工业、能源及通信基础设施应用。需注意合理设计散热（如PCB铜箔面积）并避免持续工作在最大功耗边缘，以保障寿命与可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 130V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ130D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 98.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 130V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 375 欧姆 |
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